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内禀半导体 相关科技名词
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- 多[数载流]子majority carrier
- 少[数载流]子minority carrier
- 非平衡载流子nonequilibrium carrier
- 内建场built-in field
- 受主acceptor
- 施主donor
- 多子浓度majority carrier density
- 少子浓度minority carrier density
- 复合率recombination rate
- 产生率generation rate
- 施主浓度donor density
- 受主浓度acceptor density
- 内禀载流子浓度intrinsic carrier density
- 施主电离能donor ionization energy
- 受主电离能acceptor ionization energy
- 能隙energy gap
- 直接带隙direct band gap
- 间接带隙indirect band gap
- 激活能activation energy
- 杂质impurity
- 杂质能级impurity level
- 自旋简并性spin degeneracy
- 双性杂质amphoteric impurity
- 中性杂质neutral impurity
- 致命杂质deathnium
- 除杂区denuded zone
- 基区掺杂base doping
- 晶格散射lattice scattering
- 谷际散射intervalley scattering
- 谷内散射intravalley scattering
- 回旋共振cyclotron resonance
- 多谷模型many valley model
- 谷分裂valley splitting
- 埃廷斯豪森效应Ettingshausen effect
- 能斯特效应Nernst effect
- 泽贝克效应Seebeck effect
- 汤姆孙效应Thomson effect
- 里吉-勒迪克效应Righi-Leduc effect
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