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砷化镓
规范用词砷化镓
英文对照gallium arsenide
名词定义由ⅢA族元素Ga和ⅤA族元素As化合而成的半导体材料。分子式为GaAs。室温下禁带宽度为1.42eV，属直接跃迁型能带结构。
名词审定材料科学技术名词审定委员会
见载刊物《材料科学技术名词》 科学出版社
公布时间2011年
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