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锑化镓
规范用词锑化镓
英文对照gallium antimonide
名词定义由ⅢA族元素Ga和ⅤA族元素Sb化合而成的半导体材料。分子式为GaSb。室温下禁带宽度为0.70eV，属直接跃迁型能带结构。
名词审定材料科学技术名词审定委员会
见载刊物《材料科学技术名词》 科学出版社
公布时间2011年
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